第三代半導體材料 | 我要找工作
![第三代半導體材料](https://i.imgur.com/sLIY79K.jpg)
第三代半導體材料的代表碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN),高功率、耐高溫、高崩潰電壓、高電流密度、高頻特性表現之優勢,使晶片面積可大幅減少,簡化周邊電路設計,達成減少 ...
![第三代半導體材料](https://i.imgur.com/sLIY79K.jpg)
與第一代半導體材料矽(Si),和第二代半導體材料砷化鎵(GaAs)相比,第三代半導體材料(也稱為寬能隙半導體材料)的碳化矽(SiC)或氮化鎵(GaN)具有更好的物理和化學特性,同時具有開關速度快、尺寸小、效率高、散熱迅速…等特性。
讓我們看一下,第三代化合物半導體材料衍生出來的新應用: 全自動駕駛、AR擴增實境、機器人 與矽元件相比,氮化鎵元件以更高的速度發射雷射信號,藉由激光雷射/雷射雷達(LiDAR)系統,創造360度三維全景,進一步推昇自動駕駛、擴增實境,甚至機器人的發展。
醫療技術突破
由於第三代的半導體材料可以推展無線充電,因此除了大家已知的資訊產品外,部分醫療器械亦可藉由無線充電,大幅使用領域。例如檢查者吞入膠囊式X光機,可以進行結腸鏡檢查,由於可以提供10倍,甚至是100倍的超級解析度醫療影像,可以使得MRI在更早期,準確檢查出癌症與病症。其次包括心臟泵浦、心臟節律器等等植入型的醫療產品,也可以因為不必再外接電源,大幅降低感染可能,增進病人早期使用,與生活品質。
5G使人類生活改觀
5G等高頻應用碳化矽與氮化鎵,耐高電壓、耐高溫、具高頻,可縮小晶片面積、簡化電路、降低冷卻需求,應用於射頻、半導體照明、雷射器等領域。預期未來在 5G 商用帶動下,將可使人類生活大幅改觀。
第三代半導體材料的代表碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN),高功率、耐高溫、高崩潰電壓、高電流密度、高頻特性表現之優勢,使晶片面積可大幅減少,簡化周邊電路設計,達成減少模組、系統周邊元件及冷卻系統體積目標。
現行氮化鎵功率元件,以矽基氮化鎵及碳化矽基氮化鎵兩種晶圓進行製造,其中矽基氮化鎵在面積與整體成本考量上,具有比碳化矽元件更划算的可能,更適用於中低壓/高頻領域。不同半導體元件的工作頻率和最...
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