SiC半導體的特徵 | 我要找工作
![SiC半導體的特徵](https://i.imgur.com/sLIY79K.jpg)
何謂sic功率元件?SiC半導體.1.SiC材料的物性與特徵.SiC(碳化矽)係由矽(Si)與碳©所組成之化合物半導體材料。絕緣破壞電場強度為Si的10倍、能隙為Si的3倍,不僅 ...
![SiC半導體的特徵](https://i.imgur.com/sLIY79K.jpg)
SiC(碳化矽)係由矽(Si)與碳©所組成之化合物半導體材料。 絕緣破壞電場強度為Si的10倍、能隙為Si的3倍,不僅優異,從製作元件需要之p型, n型控制可在廣泛的範圍內進行等特色來看,做為超越Si極限的功率元件用材料備受期待。 SiC存在著各種同質多形體(結晶多形),各有不同的物性值。 針對功率元件4H-SiC最為合適。
2. 做為功率元件所具備的特徴從SiC的絕緣破壞電場強度與Si相比約10倍高而言, 600V~數千V的高耐壓功率元件相較於Si元件,可製作高不純物濃度且薄膜厚的漂移層。 因為高耐壓功率元件的電阻抵抗成分幾乎都是此漂移層的電阻,SiC則每單位面積的導通電阻非常低,可實現高耐壓元件。 理論上相同的耐壓相較於Si,可減低1/300面積的漂移層電阻。 Si為了改善高耐壓化所帶來的導通電阻增大,主要採用IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor : 絕緣閘雙極電晶體) 等少數載子元件(雙極元件),存在開關損耗大的問題,其結果由於產生發熱,高頻驅動受到限制。 SiC因為利用高速元件構造之多數載子元件(蕭特基二極體與MOSFET)可實現高耐壓,可同時實現「高耐壓」、「低導通電阻」、「高速」。 而且由於能隙約為Si的3 倍寬,可實現即使高溫下也能動作之功率元件。
SiC功率元件Datasheet下載[1]
References SiC功率元件Datasheet下載 (www.rohm.com.tw)8吋碳化矽晶圓變主流!第三類半導體起飛 | 我要找工作
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